Проблема создания полупроводниковых структур на больших площадях подложек (солнечные элементы, тонкопленочные транзисторы для жидкокристаллических дисплеев и т.д.) вызвана низкой скоростью осаждения, характерной для традиционных методов. В последнее время для нанесения тонких пленок различного состава разрабатываются газовые струйные методы с различными способами активации газообразных реагентов. Однако, в струях газообразных реагентов, применяемых для получения тонких пленок, может протекать процесс конденсации, возникающий из-за охлаждения газа при его адиабатическом расширении, который может быть причиной ряда побочных эффектов.

Целью настоящей работы [7] было исследование процесса конденсации в свободных струях газовых смесей моносилан–аргон и моносилан–гелий с помощью лазерной рэлеевской диагностики, обеспечивающей прямое измерение частиц конденсата непосредственно в газовом потоке. Эксперименты проводились на газодинамической установке низкой плотности ВС-4 Института теплофизики СО РАН. Измерения рэлеевского сигнала показали, что на небольших расстояниях от сопла плотность газа соответствует расчетной, а далее сигнал резко возрастает из-за появления кластеров.

Были исследованы ряд сопел и установлено, что в свободной струе 5% смеси SiH₄–Ar за каждым из них идет процесс конденсации, если значение параметра P₀d² не меньше 2500 Torr · mm². Показано, что результаты рэлеевских измерений в струе конденсирующейся смеси моносилан–аргон обобщаются по параметру P₀d^0.8. Процесс конденсации в смеси SiH₄–Ar протекает значительно более интенсивно, чем в смеси моносилан–гелий и в чистом аргоне. Был сделан вывод о совместной конденсации моносилана с аргоном и образовании смешанных кластеров.