V российская конференция «Графен: молекула и 2D кристалл»

11-15 августа 2025 г.  в Новосибирске пройдет V российская конференция «Графен: молекула и 2D кристалл». Конференция  будет проходить в Новосибирском государственном университете, ул. Пирогова, 1.  Открытие состоится 11 августа 2025 г. в 14.00.

Научные направления:
— Развитие методов синтеза гибридных и композитных материалов на основе графена, углеродных нанотрубок, дихалькогенидов переходных металлов и других родственных структур.
— Диагностика графена и других низкоразмерных материалов методами электронной микроскопии, рентгеновской и оптической спектроскопии.
— Теория, строение и моделирование свойств графена и других низкоразмерных материалов и устройств на их основе.
— Оптические, магнитные и другие электронные свойства графена и родственных материалов, их приложения в микроэлектронике.
— Физико-химические свойства графена и других низкоразмерных материалов и их приложение в электрохимии, катализе и др.

С докладами на конференции выступят научные сотрудники лаборатории синтеза новых материалов Института теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН:

Д.В. Смовж. «Синтез металл-углеродных композитных материалов плазмохимическими методами».

В.А. Андрющенко, В.О. Рябов. «Молекулярно-динамическое моделирование CVD синтеза графена на шероховатых подложках».

А.И. Богомолова, Д.В. Смовж, А.Г. Баннов. «Композитный газовый сенсор на основе CVD-графена».

Д.В. Сорокин, Д.В. Смовж. «Влияние термической очистки в вакууме и аргоне на сенсорные свойства графена».

В.А. Андрющенко, К.В. Артишевский. «Молекулярно-динамическое моделирование переноса графена на различные подложки».

Во время конференции будут проводиться конкурсы на лучший устный и стендовый доклады среди молодых учёных (13 августа). По итогам конференции будет выпущен сборник тезисов докладов в электронном виде с присвоением ISBN и DOI.

Организаторы: Новосибирский государственный университет, Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН.

Пресс-центр ИТ СО РАН