Вышел в свет № 8 журнала «Наука и технологии Сибири» на тему «Российская электроника, фотоника и лазерные технологии».
Содержание выпуска: электронная компонентная база на новых физических принципах, новые материалы для электроники и нанофотоники, полупроводниковая СВЧ-электроника и радиофотоника, метрологическое обеспечение фото- и наноэлектроники, инновационные сенсоры нового поколения, нанотехнологии для квантовой электроники.
В текущем номере представлены две статьи коллектива авторов :
О.А. Кабов, Е.Ф. Быковская, М.В. Пуховой, Д.В. Зайцев. "Возможности современных систем охлаждения теплонапряженных конструктивных миниатюрных элементов электронных устройств".
В.Г. Меледин, И.К. Кабардин, С.В. Двойнишников, В.В. Рахманов. "Лазерная доплеровская полупроводниковая анемометрия в науке и промышленности".
"Читая статьи ведущих сибирских ученых и материалы о конкретных предпромышленных разработках, вы увидите пусть не прорывы, но серьезные продвижения в этих перспективных областях. В частности, речь идет об исследованиях широкого профиля, которые ведутся в и Институте автоматики и электрометрии СО РАН — статьи авторских коллективов из них вынесены в экспертную часть выпуска", — Валентин Пармон академик РАН, главный редактор издания «Наука и технологии Сибири», председатель Сибирского отделения РАН, вице-президент РАН.
Пресс-центр ИТ СО РАН